一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110529082.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113463199A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113463199A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C23C16/06（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I;C30B29/68（2006.01）I;H01L41/18（2006.01）I;H01L41/316（2013.01）I;H01L41/39（2013.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李国强 | 申请（专利权）人 | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州容大知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新年 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。 |
