一种图形化Ag薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN202110103618.0 申请日 -
公开(公告)号 CN112875640A 公开(公告)日 2021-06-01
申请公布号 CN112875640A 申请公布日 2021-06-01
分类号 B81C1/00;B81B1/00;C23F1/02 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 李国强 申请(专利权)人 广州市艾佛光通科技有限公司
代理机构 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 何雪霞
地址 517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种图形化Ag薄膜的制备方法,该制备方法包括以下步骤:制备Ag薄膜;在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶;将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成Ag2O薄膜;将Ag2O薄膜进行腐蚀处理至Ag2O薄膜消失;将剩余带有光刻胶的Ag薄膜进行光刻胶去除,即得。本发明可精准控制Ag薄膜上图形化部分的样式和尺寸,并且应用在芯片上可以提高芯片的电性能或者光反射率。此外,本发明的制备方法工艺稳定,腐蚀一致性好,适合批量化生产。