一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110074335.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864292A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864292A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李国强 | 申请（专利权）人 | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州容大知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新年 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法。所述嵌入式电极结构LED器件包括从下到上依次排列的第二硅衬底、键合层、第一钝化层、金属层、反射镜层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层和第二钝化层；LED器件的p电极与n电极以嵌入式电极的形式均匀分布在器件内部的孔状结构中，p电极与n电极的pad引出电极位于器件出光面的背面。本发明还提供了嵌入式电极结构LED器件的制备方法。本发明提供的嵌入式电极结构LED器件有效提高了器件的光提取效率、有利于电流扩展、具有优异的散热能力。 |
