一种基于3C-SiC薄膜的电极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910703335.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534348A | 公开（公告）日 | 2019-12-03 |
| 申请公布号 | CN110534348A | 申请公布日 | 2019-12-03 |
| 分类号 | H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86;H01G11/50 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 涂溶;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人 | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 崔友明;官群 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理工园四路1号理工大科技园研发基地B2栋2层B2室217号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于3C‑SiC薄膜的电极材料及其制备方法，该电极材料由单晶Si基板及生长在基板上的具有多孔结构的3C‑SiC薄膜组成。其制备方法步骤如下：1)将单晶Si基板放入沉积室，抽真空，使沉积室内压强降至10Pa以下；2)从沉积室侧上方向沉积室内通入H2，打开激光照射单晶Si基板表面，利用H2在高温条件下刻蚀单晶Si基板，使基板表面形成凹凸结构，刻蚀结束后，从沉积室侧上方向沉积室内通入含有HMDS的载流气，调节沉积室内沉积压强，沉积生长3C‑SiC多孔薄膜。该电极材料具有高比电容，可显著提高超级电容器电容量，并且3C‑SiC薄膜与Si基板连接较为牢固，适用于超级电容器领域。 |
