一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011016815.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112144031A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112144031A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 章嵩;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人 | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 崔友明;官群 |
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区理工园四路1号理工大科技园研发基地B2栋2层B2室217号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个钒靶材；2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10‑4Pa；3)以氩气为溅射气体，设定氩气流量为8～30sccm，并调节Ar分压为3Pa，将衬底温度升温至70℃；4)样品台以10r/min的速率自转，设定溅射功率为80W，采用直流磁控溅射方式在衬底表面溅射沉积金属钒薄膜。本发明采用优选的磁控溅射工艺条件得到取向生长的金属钒薄膜，柱状晶粒形貌为羽毛状晶，并且能够使晶粒横向生长速率明显提升，得到晶粒横向生长的钒薄膜材料。 |
