一种激光加热制备外延石墨烯的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911222939.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111017914A | 公开（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申请公布号 | CN111017914A | 申请公布日 | 2020-04-17 |
| 分类号 | C01B32/188 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 涂溶;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人 | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 崔友明;官群 |
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理工园四路1号理工大科技园研发基地B2栋2层B2室217号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种激光加热制备外延石墨烯的方法，具体步骤如下：1)将SiC基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体，向腔体内通入高纯Ar气，调节腔体内气体压强为1000～10000Pa；2)开启激光照射SiC基板，使基板表面温度以400～600℃/s的速率升温至1500～2000℃，继续照射1～5min；3)调节激光功率，使基板表面温度以100～200℃/s的速率降温至600℃，自然冷却至室温，在SiC基板表面得到外延石墨烯。本发明方法能够快速制备大生长面积外延石墨烯，制备的外延石墨烯具有高导电性，层数可控，晶体质量高的特点。 |
