一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111069799.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113529053A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113529053A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | C23C16/448;B01D7/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 谈益强;朱梦玉;薛剑 | 申请（专利权）人 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 汪利胜 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法，旨在解决固态前驱体源的挥发升华不稳定，固态前驱体源的利用率低的不足。该发明包括存储箱、安装在存储箱内的若干托盘、安装在托盘底部的电热温控板，托盘上密布若干用于装载固态前驱体源的储料槽，储料箱形成蛇形的通气流道，储料箱上设置载气进口、混合蒸汽出口，通气流道两端分别与载气进口、混合蒸汽出口连通。这种电热式固态前驱体源存储升华装置能为固态前驱体源的挥发升华提供均匀的稳定热能，并且杜绝了低阻通道现象的形成，对一些易板结的且具有一定蒸汽压的固态前驱体源仍然可以利用，在提供稳定浓度的固态前驱体源蒸汽同时提高了固态前驱体源的利用率。 |
