一种电子级溴化氢气体的制备方法及其在多晶硅栅极刻蚀中的应用
基本信息
| 申请号 | CN202110650267.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113247863B | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113247863B | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | C01B7/09（2006.01）I;H01L21/3213（2006.01）I;B01J20/22（2006.01）I;B01J20/30（2006.01）I;B01D53/04（2006.01）I;B01D3/14（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 甘华平;秦远望;王战思;李涛 | 申请（专利权）人 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 何俊 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种电子级溴化氢气体的制备方法及其在多晶硅栅极刻蚀中的应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）制备改性硅胶吸附剂：在硅胶的孔壁上接枝以葡萄糖作为交联剂的聚丙烯酸交联网络，获得改性硅胶吸附剂；（2）制备电子级溴化氢：将溴化氢原料气通入吸附剂中进行至少一次吸附除杂，所述吸附剂含有改性硅胶吸附剂，而后再进行精馏纯化，获得电子级溴化氢气体。本发明采用改性硅胶吸附剂进行吸附除杂，并与精馏纯化相结合，能较大程度地去除溴化氢原料气中的水等杂质，防止多晶硅栅极刻蚀过程中由于杂质污染而影响半导体性能。 |
