一种利用高纯电子级六氟丁二烯的半导体器件蚀刻方法
基本信息
| 申请号 | CN202110746524.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257671B | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113257671B | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;B01D53/04（2006.01）I;B01D53/26（2006.01）I;B01D53/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 甘华平;秦远望;李涛;陈跃 | 申请（专利权）人 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 何俊 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种利用高纯电子级六氟丁二烯的半导体器件蚀刻方法，包括以下步骤：将聚丙烯酰胺交联网络接枝到C型硅胶的孔壁上，制得吸水量响应型硅胶；对六氟丁二烯原料气依次进行吸水量响应型硅胶吸附除杂、轻组分精馏、重组分精馏后，获得高纯电子级六氟丁二烯；在半导体基底上形成绝缘层，在绝缘层上形成图案化掩模层，使含有高纯电子级六氟丁二烯的蚀刻气体形成等离子体后，利用等离子体对绝缘层进行干蚀刻。本发明所采用的吸水量响应型硅胶能利用孔内交联网络的吸水溶胀特性，使吸附初期和后期均具有较高的吸水速率，从而降低高纯电子级六氟丁二烯中的水含量，防止其在蚀刻后对半导体器件的性能造成影响。 |
