一种用于制备半导体多晶硅的甲硅烷-氢气混合气的充装方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202110505719.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113309975A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113309975A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | F17C5/00;F17C13/00;F17C13/02;B01J20/26;B01J20/18;C30B29/06;C30B28/14 | 分类 | 气体或液体的贮存或分配; |
| 发明人 | 甘华平;秦远望;李涛;陈跃 | 申请（专利权）人 | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种用于制备半导体多晶硅的甲硅烷‑氢气混合气的充装方法及其应用，该充装方法中采用充装系统进行甲硅烷和氢气的混配充装，具体包括：分别对甲硅烷和经改性分子筛吸附除杂的氢气进行纯度检测，检测合格后，采用惰性气体对管路进行抽真空置换，将甲硅烷充装到混合气储罐内，再次对管路进行抽真空置换，再将经改性分子筛吸附除杂的氢气充装到混合气储罐内，获得甲硅烷‑氢气混合气；所述改性分子筛为负载有氧化钙的分子筛。采用本发明的充装方法，能够防止管路中的空气影响混合气纯度，并利用改性分子筛提高除杂效率，更大限度地降低甲硅烷、氢气混合气中的杂质含量。 |
