一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用

基本信息

申请号	CN202210005384.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114014281A	公开（公告）日	2022-02-08
申请公布号	CN114014281A	申请公布日	2022-02-08
分类号	C01B21/24（2006.01）I;B01D53/04（2006.01）I;B01D53/56（2006.01）I;B01D53/78（2006.01）I;B01D53/96（2006.01）I	分类	无机化学;
发明人	甘华平;秦远望;王战思;李涛	申请（专利权）人	浙江陶特容器科技股份有限公司
代理机构	杭州杭诚专利事务所有限公司	代理人	何俊
地址	314400浙江省嘉兴市海宁市周王庙镇之江路30号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一氧化氮气体纯化技术领域，公开了一种高纯一氧化氮的制备方法及其在半导体制程中的应用。该制备方法包括以下步骤：将一氧化氮原料气从下部通入FeSO4吸附塔内，在塔内形成向上的涡流，并将FeSO4溶液经由螺旋状喷淋管从螺旋喷嘴喷入FeSO4吸附塔内，FeSO4吸附塔内设有磁场强度从上到下递增的梯度磁场，获得吸附液；将吸附液升温后，通入NO解吸塔中进行解吸，解吸出的气体从塔顶通入深冷冷凝器中，再通入硅胶吸附塔中，进行硅胶吸附处理。本发明采用具有特殊结构的FeSO4吸附塔对原料气中的NO进行吸收，能够减少NO的歧化，并促进FeSO4溶液将NO从原料气中分离出来，有利于获得更高纯度的高纯一氧化氮。