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一种SiC半导体组件的制作方法

基本信息

申请号	CN202110482707.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113224132A	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN113224132A	申请公布日	2021-08-06
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李隆盛;洪建中;李传英	申请（专利权）人	上海瀚薪科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201799上海市青浦区青平公路2855弄1-72号B座12层B区1225室
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体组件技术领域，具体地说，涉及一种SiC半导体组件的制作方法主要包括取表面生长有SiC外延层的SiC衬底，在SiC外延层上生长一层第一掩膜层，并在第一掩膜层上端面蚀刻出定义区，在定义区内向SiC外延层内部植入深层P阱，植入深层P阱后在定义区内部沉积一层氧化物和多晶硅，再通过蚀刻形成第一侧壁，通过第一侧壁向SiC外延层内部植入间层P阱，在有第一侧壁的间层P阱内沉积一层多晶硅后蚀刻出第二侧壁，并通过第二侧壁向SiC外延层内部植入浅层P阱，向有第一侧壁和第二侧壁的定义区内部再沉积一层多晶硅，在多晶硅表面上一层光阻，然后在定义区形成后续P+离子植入的遮蔽膜。该发明有效的提高了SiCMOSFET的耐压性能，且MOSFET可做的更小。