碳化硅半导体元件以及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410840780.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105810731B | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN105810731B | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I; H01L29/36（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 颜诚廷; 洪建中; 黄尧峯; 洪湘婷; 李傳英 | 申请（专利权）人 | 上海瀚薪科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;常大军 |
| 地址 | 中国台湾新竹市埔顶路18号6楼之5 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种碳化硅半导体元件以及其制造方法，藉由设置一通道控制区域，并令所述通道控制区域具有一从一第一掺杂边界开始递增，并于所述第一掺杂边界与一第二掺杂边界之间达到一最大值，而后朝所述第二掺杂边界递减的杂质浓度分布，使得所述碳化硅半导体元件，能够在不牺牲临界电压的情况下，降低导通电阻，提升其漏极电流。 |
