碳化硅半导体元件以及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610081810.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107046059B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN107046059B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 颜诚廷;洪建中;洪湘婷;黄尧峯;李傳英 | 申请（专利权）人 | 上海瀚薪科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;鲍俊萍 |
| 地址 | 中国台湾新竹市关新璐27号10楼之2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种碳化硅半导体元件及其制造方法，包括一半导体层、一设置于该半导体层的一表面上的绝缘层、一设置于该绝缘层上的栅电极层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一浅掺杂区域以及一第三掺杂区域，该半导体层具有一第一导电性，该第一掺杂区域具有一第二导电性且具有一和该表面相隔一第一深度的顶部掺杂边界，该浅掺杂区域具有该第二导电性，该浅掺杂区域自该表面延伸至一浅掺杂深度，该第二掺杂区域邻接该浅掺杂区域且至少部分位于该第一掺杂区域内，该第三掺杂区域具有该第二导电性且至少部分与该第一掺杂区域重迭。 |
