V2O3复合限流元件的制备方法
基本信息
申请号 | CN201210163553.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102682939A | 公开(公告)日 | 2012-09-19 |
申请公布号 | CN102682939A | 申请公布日 | 2012-09-19 |
分类号 | H01C7/02(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 杨敬义 | 申请(专利权)人 | 成都顺康电子有限责任公司 |
代理机构 | 成都博通专利事务所 | 代理人 | 成都顺康电子有限责任公司 |
地址 | 611731 四川省成都市高新西区新航路4号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种V2O3复合限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备:a、以V2O3陶瓷粉末为基材,在其中添加聚四氟乙烯乳液,经混和器进行干法混合,造粒;b、直接将造粒后的粉料加入模具,放入压机预压成型制成毛坯;c、然后将毛坯放入烧结炉内烧结;形成复合限流元件芯片;d、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。本发明的V2O3复合限流元件的制备方法解决了己有PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化,易分层;V2O3限流元件存在易碎裂,寿命短,以及高分子PTC元件存在恢复特性差,寿命短等问题。利用本制造方法能制备出各种规格的超小型,大电流的限流元件。 |
