一种LPCVD镀膜工艺后期基板冷却系统
基本信息
| 申请号 | CN201610811578.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106191818A | 公开（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申请公布号 | CN106191818A | 申请公布日 | 2016-12-07 |
| 分类号 | C23C16/46(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 袁建辉 | 申请（专利权）人 | 北京精诚铂阳光电设备有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 101400 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街31号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于LPCVD镀膜工艺技术领域，具体涉及一种LPCVD镀膜工艺后期基板冷却系统。本发明一种LPCVD镀膜工艺后期基板冷却系统包括：冷却腔室、水冷板组件和氮气进气管路；所述冷却腔室包括腔室上盖和冷却腔腔体；所述水冷板组件包括水冷板和内嵌于所述水冷板的冷却管；所述冷却管一端设有冷却水进水口；所述氮气进气管路包括氮气进气口和氮气出口。本发明在镀膜工艺沉积完成后，可以是镀膜基板温度均匀且能快速降低下来，防止基板出现翘曲和炸裂的情况。 |
