一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜制备方法及磁性薄膜

基本信息

申请号 CN202110707989.X 申请日 -
公开(公告)号 CN113549884A 公开(公告)日 2021-10-26
申请公布号 CN113549884A 申请公布日 2021-10-26
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 于广华;郭日思;徐秀兰;冯春;李明华 申请(专利权)人 广东麦格智芯精密仪器有限公司
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 代理人 张仲波
地址 528200广东省佛山市南海区大沥镇盐步广佛路横江路段65号之五二楼245室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜制备方法及磁性薄膜,属于磁性薄膜制备技术领域。所述制备方法通过利用磁控溅射仪于室温条件下在基底材料上依次沉积Ta/CoFeB/MgO/Ta多层膜,其中,MgO层的制备是通过直流溅射金属Mg靶材,在Mg层的沉积过程中向主真空室通入一定量的高纯氧气反应溅射获得。本发明中当溅射沉积Mg层时,采用通入适当比例氧气的方法,O原子较氧化物沉积时少量与Co、Fe结合,得到了适当的氧化状态,避免了传统磁控溅射制备工艺中存在的铁磁层被过度氧化。该方法所制备的磁性薄膜无需真空退火处理,在MgO层的制备过程中能够通过改变溅射时氩气和氧气流量比值来调节O的掺入量,工艺简单,所制备的磁性薄膜具有优异的垂直磁各向异性。