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一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201910074399.0 申请日 -
公开（公告）号 CN109817754A 公开（公告）日 2019-05-28
申请公布号 CN109817754A 申请公布日 2019-05-28
分类号 H01L31/105（2006.01）I; H01L31/0352（2006.01）I; H01L31/0304（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张杨; 赵晓蒙 申请（专利权）人 中科芯电半导体科技（北京）有限公司
代理机构 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 孙艳敏;张晓斐
地址 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法，该材料结构包括衬底、以及在衬底上依次生长的防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层、InSb本征吸收层、p型InSb轻掺杂层、p型AlInSb势垒层和p型InSb重掺杂层。制备方法是在衬底上采用MBE的方法依次生长防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层等。本发明通过防漏电缓冲层减少了InSb的缺陷密度和漏电流，采用p型重掺杂势垒层，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测率和最高工作温度。