一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811564308.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111355118B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN111355118B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01S5/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张素红 |
| 地址 | 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构，所述结构包括经过裁剪的VCSEL结构外延材料样品，蓝膜和基底，所述VCSEL结构外延样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。本发明还提供了一种上述VCSEL结构外延材料结构的制备方法。本发明提供的一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法，通过对VCSEL结构外延材料的裁剪并采用通过蓝膜将其固定在基底上的形式，解决了VCSEL结构外延材料因厚度较厚无法直接进行光致发光测试的问题。 |
