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一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN201810660416.4	申请日	-
公开（公告）号	CN108565285B	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN108565285B	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L29/778（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张杨;曾一平	申请（专利权）人	中科芯电半导体科技（北京）有限公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张素红
地址	100076北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层采用的生长温度是低温。制备方法是在GaAs衬底上低温条件下生长一层GaAs缓冲层；然后再在GaAs缓冲层上继续依次生长高电子迁移率晶体管有源区结构：InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层。本发明通过生长低温GaAs缓冲层取代原有的缓冲层，目的是避免在高电子迁移率晶体管结构的缓冲层处形成平行电导，从而在器件工作时产生缓冲层漏电现象，这样可以提高器件的最大工作频率，同时有效地降低器件的阈值电压。