一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和材料结构
基本信息
| 申请号 | CN201921265321.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210349843U | 公开（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申请公布号 | CN210349843U | 申请公布日 | 2020-04-17 |
| 分类号 | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑鑫圆 |
| 地址 | 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和高电子迁移率晶体管材料结构，在与外延InSb HEMT大失配的Si衬底上生长多层缓冲层结构以缓解晶格失配产生的应力，并在衬底上依次构造第一InAlSb缓冲层、InAlSb‑Be电子隔离层、第二InAlSb缓冲层和InAlSb/InSb超晶格(SL)缓冲层，这样生长的缓冲层结构既起到了缓解衬底与外延层之间的晶格失配的作用，又作为电子阻挡层避免了Si衬底作为施主杂质进入InAlSb产生自由电子进入InSb量子阱导电层，影响器件载流子迁移率以及器件响应速度。 |
