改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料
基本信息
| 申请号 | CN201811137925.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109273357B | 公开（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申请公布号 | CN109273357B | 申请公布日 | 2021-03-23 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张素红 |
| 地址 | 100076北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。 |
