应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片
基本信息
| 申请号 | CN201811563848.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109507006B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN109507006B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | G01N1/32（2006.01）I;G01N21/00（2006.01）I;G01M11/02（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张素红 |
| 地址 | 100076北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：（1）在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；（2）调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；（3）所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为1.5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。 |
