一种半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111513751.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921522B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN113921522B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L27/11（2006.01）I;H01L21/8244（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阳清;崔助风;张纪稳 | 申请（专利权）人 | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 102199北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，且所述半导体器件至少包括：衬底，包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区上包括一个或多个有源区；多个半导体元件，设置在所述有源区上，且所述多个半导体元件包括驱动晶体管和传输晶体管，其中，所述传输晶体管所在有源区宽度小于所述驱动晶体管所在有源区宽度；第一金属层，设置在所述半导体元件上，且与所述半导体元件电性连接；第二金属层，设置在所述第一金属层上，且与所述第一金属层电性连接；字线层，设置在所述第二金属层上，且与所述第二金属层电性连接。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，可提高半导体器件的性能。 |
