一种半导体结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111514590.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921470B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN113921470B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L49/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭哲劭;林智伟;郑志成 | 申请（专利权）人 | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 102199北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底。形成栅极区于衬底上，且栅极区包括第一栅极区和第二栅极区。移除第一栅极区内的栅极结构。形成金属栅极于第一栅极区内。刻蚀第二栅极区内的部分栅极结构。形成阻挡层于第二栅极区内。以及形成多个连接栓于栅极区内，其中部分连接栓位于第一栅极区和第二栅极区上，且部分连接栓位于第一栅极区的两侧。其中，阻挡层的高度与金属栅极的高度相等。本发明提出的半导体结构及其制造方法，提高了半导体器件在工作过程中的电阻性能。 |
