钝化接触电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811313140.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110459642B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN110459642B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0216 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨亚娣;蔡文浩;麻增智;顾文操;钱小立;盛健 | 申请（专利权）人 | 协鑫集成科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 唐清凯 |
| 地址 | 201406 上海市奉贤区南桥镇江海经济园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法。该钝化接触电池的制备方法包括以下步骤：在N型硅片的正面形成P+层；去除背面的背结，之后在背面依次形成隧穿氧化层、非晶硅层以及N+层；增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅层、背面掩膜与正面硼硅玻璃；在正面生长氧化铝，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及印刷银电极，烧结之后得到钝化接触电池。上述钝化接触电池的制备方法，通过对背面掩膜高温氧化处理，增加背面掩膜的厚度，耐氢氧化四甲基铵溶液腐蚀能力增强，完全去除硅片正面非晶硅层的同时，较好的保护硅片背面的非晶硅层。解决了在制备钝化接触电池过程中非晶硅绕镀的难题，使得接触钝化电池更易于实现量产。 |
