平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法、装置及介质专利查询专利号|摘要-满商公司网

平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法、装置及介质

基本信息

申请号	CN202210082812.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114114857A	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN114114857A	申请公布日	2022-03-01
分类号	G03F7/20（2006.01）I	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	曹榕峰;陈锰宏;章圣武;杨洋	申请（专利权）人	威海银创微电子技术有限公司
代理机构	东营辛丁知联专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘焕玲
地址	264200山东省威海市环翠区嵩山路106-3号
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决方法，包括：在氧化外延衬底上进行分压环制备，并在源区进行光刻及在外延层注入JFET，得到JFET外延衬底，对JFET外延衬底进行栅氧化后，沉积多晶硅层，在多晶硅层上沉积第一绝缘保护层，得到第一硅栅保护衬底，对第一硅栅保护衬底进行硅栅光刻，并制备Pwell区、P+区及N+源区，得到初始栅极保护衬底，在初始栅极保护衬底上的栅极侧面，沉积第二绝缘保护层，得到目标栅极保护衬底，对目标栅极保护衬底上进行合金层制备，得到overlay偏差效应解决晶体管。本发明还提出一种平面VDMOS中overlay偏差效应的解决装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决overlay偏差效应及源端与栅极短路的问题。