一种改善超级电容器自放电的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711487830.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108231432B | 公开（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申请公布号 | CN108231432B | 申请公布日 | 2019-12-13 |
| 分类号 | H01G11/84（2013.01）; H01G11/86（2013.01）; H01G11/30（2013.01）; H01G11/32（2013.01）; H01G11/46（2013.01）; C23C16/40（2006.01）; C23C16/455（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于圣明; 胡韬; 解明 | 申请（专利权）人 | 武汉艾特米克超能新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉艾特米克超能新材料科技有限公司 |
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷.芯中心2-03栋302室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于电化学技术领域，尤其是涉及一种改善超级电容器自放电的方法，该方法包括如下步骤：1）将活性碳电极作为基底放入真空反应腔室中；2）向真空反应腔室中通入第一前驱气体，第一前驱气体与活性碳电极的表面官能团发生反应；3）用惰性气体冲洗；4）以第一前驱气体为金属源，以第二前驱气体为氧源，将第一前驱气体和第二前驱气体通入真空反应腔室中，在惰性气体氛围中，进行原子层沉积循环，直至在形成目标厚度的金属氧化物薄膜。采用原子层沉积技术将金属氧化物沉积在活性碳电极表面形成包覆层，改善碳电极表面结构，增强超级电容器在使用过程当中的稳定性；可通过控制反应进行的周期数即能达到简单精确控制薄膜生长所需厚度的目的。 |
