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区熔硅单晶收尾方法和拉制方法

基本信息

申请号 CN201910571165.7 申请日 -
公开（公告）号 CN110318096A 公开（公告）日 2019-10-11
申请公布号 CN110318096A 申请公布日 2019-10-11
分类号 C30B29/06;C30B13/00;C30B13/30 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 袁静;关树军;陈辉 申请（专利权）人 北京天能运通晶体技术有限公司
代理机构 北京市鼎立东审知识产权代理有限公司 代理人 陈佳妹;贾满意
地址 100176 北京市大兴区经济开发区经海路科创十五街1号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种区熔硅单晶收尾方法和拉制方法，其中收尾方法包括：在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭等径生长操作，控制拉制单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；在单晶固液交界面开始收缩时，控制下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制上轴开启下降，并继续降低功率预设时间；反复执行上述操作，直至达到预设条件后，控制上轴开始上升，并在单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。其相较于相关技术中的慢收尾方式，既可以有效解决单晶位错的问题，同时还可以有效降低生产成本，提高单晶的成品率。