区熔晶体的自动生长方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN201580000631.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107002276B | 公开（公告）日 | 2020-03-20 |
| 申请公布号 | CN107002276B | 申请公布日 | 2020-03-20 |
| 分类号 | C30B13/30;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘和松;陈辉;张立杰;伍月爽;尚锐刚;周冰;杨凯;高辉 | 申请（专利权）人 | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京京运通科技股份有限公司;北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种区熔晶体的自动生长方法及系统，方法包括如下步骤：在自动扩肩生长阶段，当单晶的直径大于某层圆台形生长区间的下底面直径且小于上底面直径时，单晶所处的生长区间即为该层圆台形生长区间；单晶在所处的已配置生长参数的生长区间生长；其中，生长参数至少包括多晶下降速度和加热功率，分别按照已配置的函数关系调整使单晶按照所处的生长区间已配置的生长角度生长；其中，生长角度指的是圆台母线与下底面之间的夹角；当单晶的直径达到目标值时，切换至自动等径生长阶段，此时，单晶所处的生长区间是最上层的生长区间，单晶在该生长区间沿轴向生长。本发明生长的单晶的实际形状可以预知。 |
