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单芯片射频功率放大器

基本信息

申请号 CN200810034778.9 申请日 -
公开（公告）号 CN101252342A 公开（公告）日 2008-08-27
申请公布号 CN101252342A 申请公布日 2008-08-27
分类号 H03F3/213(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L23/48(2006.01) 分类 基本电子电路;
发明人 周俊;冯珅;施钟鸣 申请（专利权）人 上海富太克投资咨询有限公司
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 余明伟
地址 200433上海市杨浦区国泰路11号8楼
法律状态 -

摘要

摘要 一种单芯片射频功率放大器，其在单芯片上集成有：工作在A类且用于放大输入信号的输入级、工作在AB类且通过耦合电容与所述输入级相连接、用于将所述输入级输出的信号再次放大的推动级、及工作在C类且通过耦合电容与所述推动级相连接、用于将所述推动级输出的信号放大输出的输出级，同时还设置有与所述输入级相连接的信号输入焊盘、第一栅偏置电压输入焊盘及第一接地焊盘、与所述推动级相连接的第二栅偏置电压输入焊盘及第二接地焊盘、与所述输出级相连接的信号输出焊盘、第三栅偏置电压输入焊盘及第三接地焊盘，如此三级级联结构，即可提高放大器的总体功率增益及稳定性，又能提高放大器的效率。