一种集成钳位二极管结构及形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202210108723.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114388495A | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN114388495A | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕宇强;鞠建宏 | 申请（专利权）人 | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京睿智保诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 韩迎之 |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成钳位二极管结构及形成方法，其中结构包括：芯片本体、深N阱层、N型重掺杂埋层及P型重掺杂层；所述深N阱层、所述N型重掺杂埋层及所述P型重掺杂层均依次设置于所述芯片本体的内部；本发明通过设置该钳位保护器件的击穿电压和钳位电压，使得在芯片正常工作时不影响表面功能电路正常工作，仅在过压超过最大工作电压一定阈值时触发时并钳位，形成ESD和EOS保护，从而解决了现有技术中单芯片集成ESD和EOS保护会大大增加芯片额外面积的技术问题。 |
