一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202220376568.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216818345U | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN216818345U | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕宇强;鞠建宏 | 申请（专利权）人 | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京睿智保诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件，应用于半导体集成电路技术领域，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底内由下至上设有P型重掺杂埋层和N型重掺杂埋层，外延层位于P型半导体衬底的顶部；N型重掺杂埋层的引出深N阱位于所述外延层内；引出深N阱的表面设有引出漏极N+接触区；在引出深N阱和功率开关管漏极之间设有隔离浅槽；功率开关管漏极、功率开关管栅极、功率开关管源极和功率开关管背栅极均位于外延层。本实用新型仅通过增加一个工艺层次，形成了内置于芯片自身功率开关管下方的体内浪涌保护二极管，实现高效率、低成本的解决ESD和浪涌等过压电应力的集成化保护的创新方案。 |
