一种一氧化钴/碳纳米结构阵列的制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN201310641836.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103632856A | 公开（公告）日 | 2014-03-12 |
| 申请公布号 | CN103632856A | 申请公布日 | 2014-03-12 |
| 分类号 | H01G11/24(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐一文;汪海;吕刚;孙永明;周炜 | 申请（专利权）人 | 武汉珈伟光伏照明有限公司 |
| 代理机构 | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人 | 华中师范大学;武汉珈伟光伏照明有限公司 |
| 地址 | 430079 湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 发明属于超级电容器复合电容材料制备技术领域，具体公开了一种一氧化钴/碳纳米结构阵列的制备方法及应用，在95℃水热条件下，以镍网为基底，生长得到一氧化钴纳米线阵列的前驱体，在退火得到一氧化钴阵列的同时，通过化学气相沉积技术，在一氧化钴的表面生长了一层结晶性好的石墨碳层。反应中碳源气体和氮气的相应流量比为6:80，控制相应的通气时间，即可得到最适宜应用于超级电容器的一氧化钴/碳阵列材料。此法得到的碳结晶性质好，电导率高，与一氧化钴复合之后，得到的电极材料功率密度和能量密度性能优异，其比容量最高可达到3282.2F/g，在循环了10000次以后，比容量仍保持了96.9%，具备良好的应用前景。 |
