势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器
基本信息

| 申请号 | CN202111275921.5 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN114068738A | 公开(公告)日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068738A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I;H01L31/11(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐志成;李光昊 | 申请(专利权)人 | 中科爱毕赛思(常州)光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京钟山专利代理有限公司 | 代理人 | 李小静 |
| 地址 | 213030江苏省常州市新北区辽河路901号国家级企业孵化器D座1、2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明提供一种势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器,包括:在衬底上依次外延生长的缓冲层、P型第一欧姆接触层,P型第一长波吸收层、P型空穴势垒层、P型第二长波吸收层、P型第二欧姆接触层;P型第一长波吸收层以及P型第二长波吸收层分别与P型空穴势垒层形成同型掺杂异质结。本发明公开的结构通过偏压调制实现了在长波段的双色探测功能,结构简单;通过同型掺杂异质结和单势垒结构的引入,相较于传统NPPN结构的双色探测器,大幅降低了长波吸收区中的空间电场,有效抑制了吸收区中的产生‑复合暗电流和隧穿暗电流,提高了器件的信噪比和探测率。 |





