一种微通道板高阻薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110571109.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223917A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223917A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01J43/24;H01J9/02;C23C16/30;C23C16/455 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张伟;朱香平;韦永林 | 申请（专利权）人 | 东莞市中科原子精密制造科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京尚伦律师事务所 | 代理人 | 赵昕 |
| 地址 | 523003 广东省东莞市松山湖园区学府路1号2栋524室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开是关于微通道板高阻薄膜及其制备方法，属于光电技术领域，用于解决现有原子层沉积制备微通道板功能层AZO性能不稳定、寿命低等问题。本发明提供微通道板高阻薄膜为通过原子层沉积技术在微通道板本体内壁上沉积指定半导体材料而成的二次电子发射层，以确保所述微通道板进行正常电子倍增功能。本通过本发明提供的方案得到的微通道板高阻薄膜在使用过程中性能稳定，能够增长微通道板的使用寿命。 |
