一种高边NMOS管驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202121945351.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215528985U | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN215528985U | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H03K17/567（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 贺可晓;黄乃柱;周建华 | 申请（专利权）人 | 无锡市德科立光电子技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙力坚 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新区科技产业园93号-C地块 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高边NMOS管驱动电路，涉及驱动电路设计领域，电路包括：第一电阻和第二电阻的第一端连接PWM波，第一电阻和第二电阻的第二端分别连接第一三极管和第二三极管的基极；第一三极管的集电极连接电容的一端和第一二极管的阴极，第一二极管的阳极通过第三电阻连接NMOS管的源极，NMOS管和第三电阻的共端作为驱动电路的输出端，电容的另一端分别连接第二二极管的阴极和第四电阻的第一端，第二二极管的阳极连接NMOS管的漏极，NMOS管和第二二极管的共端连接电源；第二三极管的集电极分别连接第四电阻的第二端和NMOS管的门极。该驱动电路利用NMOS管实现了高边驱动，使得MOS管的选型灵活、成本可控。 |
