一种掺钨氧化铟薄膜的制备方法以及采用该薄膜制成的柔性钙钛矿太阳能电池
基本信息
| 申请号 | CN202110524377.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113249690A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113249690A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C23C14/32;C23C14/08;H01L51/00;H01L51/42 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 项天星;刘胜康;彭勇 | 申请（专利权）人 | 中山市武汉理工大学先进工程技术研究院 |
| 代理机构 | 中山市粤捷信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张谦 |
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区祥兴路6号数贸大厦二栋210室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了掺钨氧化铟薄膜的制备方法，以固体IWO颗粒为原料。本发明还涉及一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池，以柔性聚酰亚胺（PI）薄膜为基底，在上面利用上述空心阴极离子镀沉积IWO导电薄膜作为电极；在IWO电极上使用热蒸镀的方法依次蒸镀酞菁铜（CuPc）空穴传输层、CsBr以及PbI2，然后与FAI进行化学气相沉积反应生成钙钛矿吸光层；在钙钛矿吸光层上依次蒸镀C60电子传输层、浴铜灵（BCP）缓冲层以及银电极从而完成器件的制备。本发明实现了在大面积耐高温柔性聚酰亚胺基底上沉积钙钛矿太阳能电池，对柔性钙钛矿太阳能电池的制备具有科学指导意义。 |
