二维纳米片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201611048765.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106587087A | 公开（公告）日 | 2017-04-26 |
| 申请公布号 | CN106587087A | 申请公布日 | 2017-04-26 |
| 分类号 | C01B35/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B42D25/305(2014.01)I;B42D25/40(2014.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 张瑞;郑国义;郑杰思 | 申请（专利权）人 | 深圳市循真科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 | 代理人 | 深圳市循真科技有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区67区隆昌路大仟工业园区1号楼4楼06室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种二维纳米片及其制备方法，该二维纳米片的制备方法包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；(3)导入培养基：混合所述混合物一和混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，对导入到培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，生成二维纳米片，其具有与固定形态的培养基相匹配的形状。通过该方法制备的二维纳米片生产工艺简单，可存储大量信息。 |
