太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
基本信息
| 申请号 | CN202111436725.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114280770A | 公开（公告）日 | 2022-04-05 |
| 申请公布号 | CN114280770A | 申请公布日 | 2022-04-05 |
| 分类号 | G02B27/00（2006.01）I;G02B3/00（2006.01）I;G02B1/118（2015.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 王晓东;马维一;崔慧源;汪泽文 | 申请（专利权）人 | 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 祁春倪 |
| 地址 | 200063上海市普陀区武宁路423号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。 |
