D触发器
基本信息
申请号 | CN201610366914.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN105932986B | 公开(公告)日 | 2019-01-22 |
申请公布号 | CN105932986B | 申请公布日 | 2019-01-22 |
分类号 | H03K3/353 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 杨国庆;朱定飞;王建军;徐庆光 | 申请(专利权)人 | 湖南融创微电子有限公司 |
代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 湖南融创微电子有限公司 |
地址 | 410205 湖南省长沙市高新开发区尖山路39号中电软件园总部大楼1503 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种D触发器,涉及触发器领域。该D触发器包括至少一对导电类型相同的MOS管,每个MOS管均包括有与MOS管导电类型相反的第一衬底或第一阱,每对导电类型相同的MOS管的其中一个MOS管的第一衬底设置有与MOS管导电类型相同的第二阱或每对导电类型相同的MOS管的其中一个MOS管的第一阱设置有与MOS管导电类型相同的第二衬底,且第二衬底或第二阱位于每对MOS管的两个MOS管之间。该D触发器的敏感节点受到撞击时,可抑制敏感节点受到轰击时产生的电荷在邻近敏感节点扩散,有效地避免多个敏感节点的同时翻转,提高D触发器的可靠性和安全性。 |
