PDMS薄膜上微米通孔阵列的制备方法

基本信息

申请号 CN202010436366.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111569667A 公开(公告)日 2020-08-25
申请公布号 CN111569667A 申请公布日 2020-08-25
分类号 B01D67/00(2006.01)I 分类 -
发明人 王云翔;李瑾;冒薇;王丰梅 申请(专利权)人 苏州研材微纳科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 215121江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢401室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种制备方法,尤其是一种PDMS薄膜上微米通孔阵列的制备方法。其利用基础衬底制备得到柱体阵列,然后利用临时键合胶层实现将PDMS薄膜设置在支撑辅助衬底上,PDMS薄膜与基础衬底上的柱体阵列接触后,将PDMS薄膜与柱体阵列间相互压合,以使得柱体阵列内的孔体柱能贯穿PDMS薄膜,从而在PDMS薄膜与柱体阵列分离后,能在PDMS薄膜内制备得到微米通孔阵列;通过支撑辅助衬底以及临时键合胶层对PDMS薄膜的辅助支撑,从而能有效实现在较薄的PDMS薄膜上制备得到通孔阵列,与现有工艺兼容,降低加工的成本,安全可靠。