半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202210126953.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171589A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171589A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈维邦;郑志成;林智伟 | 申请（专利权）人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹廷廷 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件结构，包括：同一衬底上设置多个P型元件与多个N型元件，所述P型元件和所述N型元件具有不同的栅极间距。本发明通过将同一衬底的P型元件和N型元件设置成不同的栅极间距，以使所述P型元件和所述N型元件栅极两侧的嵌入式外延层的尺寸可调，实现P型元件和N型元件的效能的单独调整，进而实现针对器件不同区域单独调整相应元件特性的功能，提高器件的整体性能。 |
