一种半导体结构的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210123451.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156176A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156176A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 殷海霞;许春龙;王行之;杨宗凯 | 申请（专利权）人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 102199北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成垫氮化层；蚀刻所述垫氧化层、所述垫氮化层和部分所述衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成内衬氧化层；在所述浅沟槽内沉积隔离介质形成浅沟槽隔离结构；蚀刻所述垫氮化层和部分所述浅沟槽隔离结构，以使所述浅沟槽隔离结构和所述垫氧化层之间形成台阶。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，能够对浅沟槽隔离结构的台阶高度进行选择。 |
