一种半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210123457.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171586A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171586A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/08（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石田浩 | 申请（专利权）人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 102199北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，其至少包括：第一场效应晶体管；以及第二场效应晶体管；设第一场效应晶体管的源极侧的轻掺杂漏极为源极侧轻掺杂漏极部，设第一场效应晶体管的漏极侧的轻掺杂漏极为漏极侧轻掺杂漏极部，则漏极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，大于源极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度；源极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，小于设置于第二场效应晶体管的轻掺杂漏极的轻掺杂漏极长度，漏极侧轻掺杂漏极部的轻掺杂漏极长度，大于设置于第二场效应晶体管的轻掺杂漏极的轻掺杂漏极长度。本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，能够抑制半导体装置中电路面积的增加且抑制泄漏电流的产生。 |
