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一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器

基本信息

申请号 CN201310690674.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103701411B 公开（公告）日 2017-01-25
申请公布号 CN103701411B 申请公布日 2017-01-25
分类号 H03B5/04(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 刘佳欣;文光俊;王耀 申请（专利权）人 无锡成电科大科技发展有限公司
代理机构 北京中恒高博知识产权代理有限公司 代理人 电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司
地址 214135 江苏省无锡市新区太科园中国传感网大学科技园立业楼A区402室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，包括基准源、电容充放电电路、第一比较器、第二比较器和SR锁存器；所述基准源的基准电流与电容充放电电路连接，基准源的基准电压分别与第一比较器的同相输入端和第二比较器的同相输入端连接；第一比较器的反相输入端和第二比较器的反相输入端，分别与电容充放电电路连接；第一比较器的输出端与SR锁存器的R端连接，第二比较器的输出端与SR锁存器的S端连接。本发明所述具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，可以克服现有技术中成本高、可靠性低和工艺偏差大等缺陷，以实现成本低、可靠性高和工艺偏差小的优点。