一种具有高散热性的半导体器件制备方法及半导体器件专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种具有高散热性的半导体器件制备方法及半导体器件

基本信息

申请号	CN202110513855.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113257675B	公开（公告）日	2022-02-01
申请公布号	CN113257675B	申请公布日	2022-02-01
分类号	H01L21/335（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	华斌	申请（专利权）人	智程半导体设备科技（昆山）有限公司
代理机构	苏州企航知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	朱丹
地址	215300江苏省苏州市昆山市玉山镇玉杨路299号3号房
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种具有高散热性的半导体器件制备方法，包括以下步骤：S1:制备衬底：在Si衬底表面均匀旋涂金刚石纳米晶粒的旋涂液并烘干，并沉积多晶金刚石薄膜；S2：制备掩膜：在所述多晶金刚石薄膜上沉积SiO2层，通过光刻和刻蚀工艺，在SiO2层上形成周期性图形化的SiO2孔洞；半导体结构包括衬底，所述衬底上排列设置有若干锥形金刚石结构，所述金刚石结构之间设有AlN成核层，所述AlN成核层上设有GaN缓冲层，且所述GaN缓冲层填充于所述金刚石结构之间且在所述金刚石顶部形成平面，本半导体器件在GaN之间埋入了超高导热性能的金刚石材料，使得制备GaN外延结构具有良好的导热能力，为后续基于GaN微波大功率器件的实现奠定基础。