一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011100277.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382696B | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN112382696B | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/515（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;郭卫;张云鹏;李雪方;郭丽;杜泽霖;李陈阳;吕爱武 | 申请（专利权）人 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及双面太阳能电池生产领域。一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺，在背面晶硅基体上直接制备氮氧化硅层，然后在进行退火，最后再制备氮化硅层；氮氧化硅层为单层膜，采用PECVD的方式沉积，工艺参数为，压力1500‑2000mTorr，温度450‑500℃，功率为8500‑12000W,脉冲开关比为1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三种气体SiH4、NH3、N2O总流量需大于7000sccm，时间40‑60s。本发明不仅有效降低了双面电池的背面钝化制造成本，同时创造性的解决钝化SiON膜层变薄后钝化效果变差的问题。 |
