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一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法

基本信息

申请号 CN202210286211.0 申请日 -
公开（公告）号 CN114765234A 公开（公告）日 2022-07-19
申请公布号 CN114765234A 申请公布日 2022-07-19
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/42（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;吕爱武;张云鹏;申开愉 申请（专利权）人 山西潞安太阳能科技有限责任公司
代理机构 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人 -
地址 046000山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及P型晶硅双面太阳能电池背钝化领域。一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。本发明将SiON膜层进行合理的拆分，并与退火工艺拼接，可减少SiON膜层过厚时内部缺陷。