新型PN型钙钛矿/铜铟镓硒双结薄膜电池制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510217903.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106206948A | 公开（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申请公布号 | CN106206948A | 申请公布日 | 2016-12-07 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马给民;保罗·比蒂;陈浩 | 申请（专利权）人 | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北四路五号ITT厂房415、418室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双结“P?N型钙钛矿/铜铟镓硒”电池，由上层P?N型钙钛矿电池和下层铜铟镓硒电池构成。上层P?N型钙钛矿电池包括透明基板、透明电极、N型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、P型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、透明后电极；下层铜铟镓硒电池包括基底、钼电极、铜铟镓硒光吸收层、硫化镉缓冲层、氧化锌和参铝氧化锌窗口层。上层P?N型钙钛矿的禁带宽度约为1.8eV，与下层铜铟镓硒的1.1eV十分匹配，可充分利用太阳光谱。此外，上层P?N型钙钛矿电池效率高，且无需制备空穴传输层，从而简化了现有钙钛矿电池的制备工艺，降低了制备成本，也无需大量使用金属Pb，有利于绿色、环保的产业化进程。 |
